EasyFlash 在 CH32V203 上因 Flash 擦除态不是 0xFF 导致 ENV 无法正常工作

[Dailingxiang1]

您好，感谢您维护 EasyFlash 这个项目。

我在将 EasyFlash（ENV 功能）移植到沁恒 CH32V203 MCU 时，
遇到了一个与 Flash 擦除行为相关的问题，想向您确认 EasyFlash 的设计假设和支持边界。

在 CH32V203 的片内 Flash 上，根据实际测试结果：

• Flash 擦除后（无论是标准擦除还是快速擦除），
• 读出的数据并不是 0xFF / 0xFFFFFFFF，
• 而是固定的模式值（例如字读为 0xE339E339）。

在 EasyFlash 源码中（如 ef_env.c 的 continue_ff_addr 函数），
ENV 扫描空闲区域时是通过判断连续的 0xFF 来确定 Flash 的“空区”位置：

if (buf[i] == 0xFF) { ... }

由于 CH32V203 擦除后的 Flash 内容并不等于 0xFF，
导致 EasyFlash 在该 MCU 上无法正确识别空闲区域，
从而 ENV 保存和读取逻辑无法正常工作。

我理解 EasyFlash 是基于“标准 NOR Flash 擦除后为全 1（0xFF）”这一假设来设计的，
而 CH32V203 的 Flash 擦除行为并不完全符合这一模型。

因此想请教两个问题：

1. EasyFlash 是否明确只支持擦除后为 0xFF 的标准 NOR Flash？
2. 对于像 CH32V203 这种擦除态为固定 pattern（非 0xFF）的 Flash，
   是否被认为是不支持的使用场景，还是有推荐的适配方式？

以上只是对设计假设的确认，并非抱怨或指责。
如果 EasyFlash 当前不打算支持这类 Flash 行为，
也建议在文档中明确说明这一限制，方便后来使用者避免踩坑。

再次感谢您的开源贡献，期待您的回复。

下面是取自CH32参考手册的图片：